锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ESM2012DV

NPN达林顿功率模块 NPN DARLINGTON POWER MODULE

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 120 V 120 A 175 W 底座安装 ISOTOP®


得捷:
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP


贸泽:
达林顿晶体管 NPN Darl Power Mod


艾睿:
Trans Darlington NPN 150V 120A 175000mW 4-Pin ISOTOP Tube


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 150V 120A 4-Pin ISOTOP Tube


TME:
Transistor: bipolar, NPN, Darlington+diode; 150V; 120A; 175W


ESM2012DV中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 120 A

额定功率 175 W

极性 NPN

耗散功率 175000 mW

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 120A

最小电流放大倍数hFE 1200 @100A, 5V

额定功率Max 175 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 175000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 ISOTOP

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.5 mm

高度 9.1 mm

封装 ISOTOP

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ESM2012DV引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ESM2012DV
型号 制造商 描述 购买
ESM2012DV ST Microelectronics 意法半导体 NPN达林顿功率模块 NPN DARLINGTON POWER MODULE 搜索库存