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EL5132ISZ-T7

EL5132ISZ-T7

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 电子元器件分类
EL5132ISZ-T7中文资料参数规格
技术参数

供电电流 11 mA

电路数 1

通道数 1

转换速率 1.00 kV/μs

增益频宽积 3 GHz

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 12 µA

3dB带宽 670 MHz

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EL5132ISZ-T7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
EL5132ISZ-T7 Intersil 英特矽尔 670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers 搜索库存
替代型号EL5132ISZ-T7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: EL5132ISZ-T7

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel

当前型号

670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers

当前型号

型号: EL5132ISZ

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel

完全替代

670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers

EL5132ISZ-T7和EL5132ISZ的区别

型号: EL5132IS

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel

完全替代

670MHz Av=10低噪声电压反馈放大器

EL5132ISZ-T7和EL5132IS的区别

型号: EL5132IS-T7

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel

完全替代

670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers

EL5132ISZ-T7和EL5132IS-T7的区别