供电电流 11 mA
电路数 1
通道数 1
转换速率 1.00 kV/μs
增益频宽积 3 GHz
输入补偿电压 500 µV
输入偏置电流 12 µA
3dB带宽 670 MHz
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
EL5132ISZ-T7 | Intersil 英特矽尔 | 670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: EL5132ISZ-T7 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel | 当前型号 | 670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers | 当前型号 | |
型号: EL5132ISZ 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel | 完全替代 | 670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers | EL5132ISZ-T7和EL5132ISZ的区别 | |
型号: EL5132IS 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel | 完全替代 | 670MHz Av=10低噪声电压反馈放大器 | EL5132ISZ-T7和EL5132IS的区别 | |
型号: EL5132IS-T7 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC 8Pin 1kV/us 1Channel | 完全替代 | 670MHz低噪声放大器 670MHz Low Noise Amplifiers | EL5132ISZ-T7和EL5132IS-T7的区别 |