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EE-SY1200
Omron(欧姆龙) 电子元器件分类

OMRON ELECTRONIC COMPONENTS  EE-SY1200  微型光电传感器, 1M至4M, 反射型

反射式光电传感器,SY1200

此 反射光学传感器置于超紧凑型 SMT 封装中。 包含一个红外二极管和光电晶体管,可用反射范围高达 5mm。

高开/关比(光电流到泄漏电流)

### 反射光学传感器,Omron


欧时:
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得捷:
SENSOR PHOTO ULTRA COMP SMD


立创商城:
EE-SY1200


贸泽:
光学开关(反射型,光电晶体管输出) Reflective PCB Mount High S/N Ratio


e络盟:
光电耦合器, 晶体管输出, SMD, 整卷


艾睿:
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin T/R


Allied Electronics:
EE-SY1200 SMT Reflective Optical Sensor, Phototransistor Output 10


Chip1Stop:
Photomicrosensor 4-Pin T/R


TME:
Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; Mounting: SMT


Verical:
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin


Newark:
# OMRON ELECTRONIC COMPONENTS  EE-SY1200  OPTOCOUPLER, TRANSISTOR O/P, SMD, FULL REEL


MASTER:
Photo interrupter reflective transistor – 4 Pin - Ultra compact model - PCB surface mounting type - High S/N ratio - High light current - Low leakage current- 30µs - 30V - 50mA


Online Components:
Photointerrupter Reflective Transistor 4-Pin


Electro Sonic:
Photo interrupter reflective transistor – 4 Pin - Ultra compact model - PCB surface mounting type - High S/N ratio ...


Win Source:
SENSOR PHOTO ULTRA COMP SMD / Reflective Optical Sensor 4-SMD, No Lead


EE-SY1200中文资料参数规格
技术参数

输出电压 30.0 V

输出电流 20.0 mA

通道数 10

针脚数 4

正向电压 1.2 V

波长 940 nm

输入电流 50.0 mA

峰值波长 940 nm

耗散功率 50 mW

上升时间 30 µs

击穿电压集电极-发射极 30 V

正向电流 50 mA

击穿电压 4 V

正向电流Max 50 mA

下降时间 30 µs

下降时间Max 30000 ns

上升时间Max 30000 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 50 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-4

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.1 mm

高度 1.1 mm

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

HTS代码 8541408000

EE-SY1200引脚图与封装图
EE-SY1200引脚图

EE-SY1200引脚图

EE-SY1200封装图

EE-SY1200封装图

EE-SY1200封装焊盘图

EE-SY1200封装焊盘图

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