EL817B-VG
数据手册.pdf
Everlight Electronics
亿光
电子元器件分类
EL817B-VG中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 6µs, 8µs
通道数 1
正向电压 1.2 V
耗散功率 200 mW
上升时间 6 µs
隔离电压 5000 Vrms
击穿电压集电极-发射极 35 V
正向电流 60 mA
输出电压Max 80 V
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 60 mA
下降时间 8 µs
下降时间Max 18 µs
上升时间Max 18 µs
工作温度Max 110 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 4.58 mm
高度 4.5 mm
封装 DIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 110℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
EL817B-VG引脚图与封装图
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