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ESDAXLC4-1BF3

ESDAXLC4-1BF3

数据手册.pdf

TVS DIODE 55W 3V 1CH BI FLIPCHIP

10V 夹子 1A(8/20µs) Ipp TVS - 表面贴装型 2-覆晶


得捷:
TVS DIODE 3VWM 10VC 2FLIPCHIP


艾睿:
ESD Suppressor TVS 8KV 2-Pin Flip-Chip T/R


安富利:
ESD Suppressor TVS 8KV 2-Pin Flip-Chip T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 8KV 2-Pin Flip-Chip T/R


ESDAXLC4-1BF3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 55 W

击穿电压 4 V

电路数 1

通道数 1

钳位电压 10 V

脉冲峰值功率 55 W

最小反向击穿电压 4 V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 XFBGA-2

外形尺寸

封装 XFBGA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ESDAXLC4-1BF3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ESDAXLC4-1BF3 ST Microelectronics 意法半导体 TVS DIODE 55W 3V 1CH BI FLIPCHIP 搜索库存
替代型号ESDAXLC4-1BF3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ESDAXLC4-1BF3

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: 2-XFBGA

当前型号

TVS DIODE 55W 3V 1CH BI FLIPCHIP

当前型号

型号: ESDARF02-1BU2CK

品牌: 意法半导体

封装: 0201

功能相似

Transil™ 阵列双向,提供 ESD 保护,ESDA 系列,STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics

ESDAXLC4-1BF3和ESDARF02-1BU2CK的区别