EFC4612R-TR中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 1.6W Ta
漏源极电压Vds 24 V
上升时间 230 ns
额定功率Max 1.6 W
下降时间 210 ns
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 EFCP1313-4CC-037
外形尺寸
封装 EFCP1313-4CC-037
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EFC4612R-TR引脚图与封装图
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在线购买EFC4612R-TR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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EFC4612R-TR | ON Semiconductor 安森美 | 24V,6A,45mΩ,双N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号EFC4612R-TR
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: EFC4612R-TR 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: WLCSP-4 | 当前型号 | 24V,6A,45mΩ,双N沟道功率MOSFET | 当前型号 |