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EMH2308-TL-E

EMH2308-TL-E

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

2个P沟道 20V 3A

Amplify electronic signals and switch between them with the help of "s power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in depletion mode.

EMH2308-TL-E中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.2 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 320pF @10VVds

额定功率Max 1.2 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-383

外形尺寸

封装 SOT-383

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

EMH2308-TL-E引脚图与封装图
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