ESH1B-E3/5AT中文资料参数规格
技术参数
正向电压 900mV @1A
反向恢复时间 25 ns
正向电流 1 A
正向电压Max 900mV @1A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AC
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.79 mm
高度 2.09 mm
封装 DO-214AC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ESH1B-E3/5AT引脚图与封装图
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在线购买ESH1B-E3/5AT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ESH1B-E3/5AT | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Switching 100V 1A 2Pin SMA T/R | 搜索库存 |
替代型号ESH1B-E3/5AT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ESH1B-E3/5AT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AC | 当前型号 | Diode Switching 100V 1A 2Pin SMA T/R | 当前型号 |