EGP10A-E3/54中文资料参数规格
技术参数
正向电压 950mV @1A
反向恢复时间 50 ns
正向电流 1 A
正向电压Max 950mV @1A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AL
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 2.7 mm
高度 2.7 mm
封装 DO-204AL
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EGP10A-E3/54引脚图与封装图
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在线购买EGP10A-E3/54
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EGP10A-E3/54 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Switching 50V 1A 2Pin DO-204AL T/R | 搜索库存 |
替代型号EGP10A-E3/54
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EGP10A-E3/54 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-204AL | 当前型号 | Diode Switching 50V 1A 2Pin DO-204AL T/R | 当前型号 |
| 型号： EGP10AHE3/54 品牌： 威世 封装： DO-204 | 完全替代 | Diode 1A 50V 50ns Smc | EGP10A-E3/54和EGP10AHE3/54的区别 |
| 型号： HER101G-TP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | DIODE GEN PURPOSE 50V DO41 | EGP10A-E3/54和HER101G-TP的区别 |
| 型号： HER101G-AP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V VRRM, Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-2 | EGP10A-E3/54和HER101G-AP的区别 |