ESDA6V1S3
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ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
ESDA6V1S3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.10 V
工作电压 1.25 V
电容 120 pF
额定功率 200 W
击穿电压 6.1 V
电路数 18
针脚数 20
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 7.2 V
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 6.1 V
击穿电压 6.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 20
封装 SOIC-20
外形尺寸
长度 13.0 mm
宽度 7.60 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-20
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial, 国防, 计算机和计算机周边, 军用与航空, 通信与网络, 消费电子产品, Communications & Networking, 工业, Aerospace, Defence, Military
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ESDA6V1S3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ESDA6V1S3 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS ESDA6V1S3 静电保护装置, Transil阵列, SOIC, 20 引脚, 1.25 V | 搜索库存 |
替代型号ESDA6V1S3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ESDA6V1S3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 6.1V 200W | 当前型号 | STMICROELECTRONICS ESDA6V1S3 静电保护装置, Transil阵列, SOIC, 20 引脚, 1.25 V | 当前型号 |
| 型号： ESDA6V1S3RL 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 6.1V 200W | 完全替代 | Transil™ 阵列单向，提供 ESD 保护，ESDA 系列，STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics | ESDA6V1S3和ESDA6V1S3RL的区别 |
| 型号： ESDA6V1SC6 品牌： 意法半导体 封装： SOT-23 6.1V 400W | 功能相似 | STMICROELECTRONICS ESDA6V1SC6 静电保护装置, 排列, SOT-23, 6 引脚, 6.1 V, 400 W | ESDA6V1S3和ESDA6V1SC6的区别 |