DTC123EU3HZGT106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

晶体管 - 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3

欧时:
NPN SOT-323 Digital Transistor

得捷:
DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

DTC123EU3HZGT106中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTC123EU3HZGT106引脚图与封装图

DTC123EU3HZGT106引脚图

DTC123EU3HZGT106封装图

DTC123EU3HZGT106封装焊盘图

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DTC123EU3HZGT106	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率	搜索库存