DGTD120T40S1PT
Diodes(美台)
电子元器件分类
DGTD120T40S1PT中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 100 ns
额定功率Max 357 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
DGTD120T40S1PT引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DGTD120T40S1PT | Diodes 美台 | 1200V FIELD STOP IGBT IN TO-247 | 搜索库存 |