DMT10H025SSS-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
DMT10H025SSS-13中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1900 mW
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 11.2 ns
输入电容Ciss 1544pF @50VVds
下降时间 13.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
DMT10H025SSS-13引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMT10H025SSS-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R | 搜索库存 |