DTA123EU3T106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

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PNP SOT-323 Digital Transistor

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DTA123EU3T106

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DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

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晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT Tape

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DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

DTA123EU3T106中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTA123EU3T106引脚图与封装图

DTA123EU3T106引脚图

DTA123EU3T106封装图

DTA123EU3T106封装焊盘图

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DTA123EU3T106	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率	搜索库存