DTA113ZU3HZGT106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

得捷:
DTA113ZU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

DTA113ZU3HZGT106中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 33 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTA113ZU3HZGT106引脚图与封装图

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DTA113ZU3HZGT106	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率	搜索库存