DTA115EU3T106
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
额定功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
封装 SOT-323
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTA115EU3T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率 | 搜索库存 |