DTA114YU3T106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

欧时:
PNP -100mA -50V Digital Transistor Bias

得捷:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R

DTA114YU3T106中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTA114YU3T106引脚图与封装图

DTA114YU3T106引脚图

DTA114YU3T106封装图

DTA114YU3T106封装焊盘图

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DTA114YU3T106	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率	搜索库存