DTA123JU3T106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

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PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R

DTA123JU3T106中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DTA123JU3T106引脚图与封装图

DTA123JU3T106引脚图

DTA123JU3T106封装图

DTA123JU3T106封装焊盘图

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