DMN60H080DS-7

Diodes(美台) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 70 mA, 600 V, 67 ohm, 10 V, 3 V

N-Channel 600V 80mA Ta 1.1W Ta Surface Mount SOT-23-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3

贸泽:
MOSFET MOSFETBVDSS: 501V-650V

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 mA, 600 V, 67 ohm, 10 V, 3 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R

DMN60H080DS-7中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 67 Ω

耗散功率 700 mW

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 25pF @25VVds

下降时间 158 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DMN60H080DS-7引脚图与封装图

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