DMT10H010LK3-13

Diodes(美台) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 68.8 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V

N-Channel 100V 68.8A Tc 3W Ta Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

立创商城:
N沟道 100V 68.8A

贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 68.8 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R; 2.5K

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DMT10H010LK3-13中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 62.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 14.1 ns

输入电容Ciss 2592pF @50VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

海关信息

香港进出口证 NLR

DMT10H010LK3-13引脚图与封装图

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