DMG8880LSS-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMG8880LSS-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.43W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11.6A
上升时间 17.52 ns
输入电容Ciss 1289pF @15VVds
额定功率Max 1.43 W
下降时间 19.67 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.43W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
DMG8880LSS-13引脚图与封装图 
DMG8880LSS-13引脚图
DMG8880LSS-13封装图
DMG8880LSS-13封装焊盘图
在线购买DMG8880LSS-13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMG8880LSS-13 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | 搜索库存 |
替代型号DMG8880LSS-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMG8880LSS-13 品牌： Diodes 美台 封装： SOT N-CH 30V 11.6A | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | 当前型号 |
| 型号： DMG4406LSS-13 品牌： 美台 封装： 8-SOIC N-CH 30V 10.3A | 功能相似 | MOSFET, N Channel, MOS, Trans, 30V, 10.3A, SO8 | DMG8880LSS-13和DMG4406LSS-13的区别 |