DGD0507AFN-7

Diodes(美台) 电子元器件分类

半桥 MOSFET 灌:1.5A 拉:2A

半桥栅极驱动器 IC CMOS/TTL W-DFN3030-10

得捷:
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10

立创商城:
半桥 MOSFET 灌:1.5A 拉:2A

艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R

Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R

DGD0507AFN-7中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 16ns, 18ns

输出接口数 2

耗散功率 400 mW

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 400 mW

电源电压 8V ~ 14V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 WDFN3030-10

外形尺寸

封装 WDFN3030-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DGD0507AFN-7引脚图与封装图

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