DGTD65T15H2TF
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
DGTD65T15H2TF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 48000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 150 ns
额定功率Max 48 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 48000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
DGTD65T15H2TF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| DGTD65T15H2TF | Diodes 美台 | IGBT600V-XITO-220AB | 搜索库存 |