DMN3020LK3-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

N-Channel 30V 2.17W Ta Surface Mount TO-252-3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

贸泽:
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 16.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 16.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN3020LK3-13中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 8.9 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 16.7A

输入电容Ciss 608pF @15VVds

额定功率Max 2.17 W

耗散功率Max 2.17W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN3020LK3-13引脚图与封装图

DMN3020LK3-13封装图

DMN3020LK3-13封装焊盘图

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