DMTH4004LK3Q-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
极性 N-CH
耗散功率 3.9 W
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 13.2 ns
输入电容Ciss 4450pF @25VVds
下降时间 7.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.9W Ta, 180W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-4
封装 TO-252-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMTH4004LK3Q-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |