DMTH4007LPSQ-13

Diodes(美台) 电子元器件分类

N沟道 40V 100A 15.5A

N-Channel 40V 15.5A Ta, 100A Tc 2.7W Ta, 150W Tc Surface Mount PowerDI5060-8

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MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060

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DMTH4007LPSQ-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.7 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 15.5A

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 1895pF @30VVds

下降时间 3.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DMTH4007LPSQ-13引脚图与封装图

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