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DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMT5015LFDF-7 编带

N-Channel 50V 9.1A Ta 820mW Ta Surface Mount U-DFN2020-6 Type F


得捷:
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN


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N沟道 50V 9.1A


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DMT5015LFDF-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.97 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 9.1A

上升时间 5.1 ns

输入电容Ciss 902.7pF @25VVds

额定功率Max 820 mW

下降时间 2.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1970 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN-6

外形尺寸

封装 UDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT5015LFDF-7引脚图与封装图
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