DMP57D5UFB-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
耗散功率 425mW Ta
漏源极电压Vds 50 V
输入电容Ciss 29pF @4VVds
额定功率Max 425 mW
耗散功率Max 425mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 UFDFN-3
封装 UFDFN-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMP57D5UFB-7 | Diodes 美台 | MOSFET P-CH 50V 200mA 3-DFN | 搜索库存 |