DGD1503S8-13

Diodes(美台) 电子元器件分类

IGBT/MOSFET栅极驱动器, 半桥, 10V至20V电源, 680ns/150ns延迟, SOIC-8

Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SO

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

贸泽:
Gate Drivers HV Gate Driver

e络盟:
IGBT/MOSFET栅极驱动器, 半桥, 10V至20V电源, 680ns/150ns延迟, SOIC-8

艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R

Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R

DGD1503S8-13中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 70ns, 35ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 170 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DGD1503S8-13引脚图与封装图

暂无图片

在线购买DGD1503S8-13

型号	制造商	描述	购买
DGD1503S8-13	Diodes 美台	IGBT/MOSFET栅极驱动器, 半桥, 10V至20V电源, 680ns/150ns延迟, SOIC-8	搜索库存