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DZT851-13

DZT851-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1W 60V 6A

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 6A 1W Surface Mount SOT-223


得捷:
TRANS NPN 60V 6A SOT223-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1W 60V 6A


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN 60V 6A SOT-223


DeviceMart:
TRANS NPN 6A 60V MED PWR SOT-223


DZT851-13中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

极性 NPN

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DZT851-13引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DZT851-13 Diodes 美台 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1W 60V 6A 搜索库存
替代型号DZT851-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DZT851-13

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-223 NPN 3W

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1W 60V 6A

当前型号

型号： ZX5T851GTA

品牌： 美台

封装： TO-261-4 NPN 60V 6A 3000mW

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品牌： 美台

封装： SOT-223 NPN 60V 6A 3000mW

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品牌： 美台

封装： SOT-223 NPN 60V 6A 3000mW

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