DZT5551Q-13

Diodes(美台) 分立器件

160V NPN TRANSISTOR SOT223 Automotive

Bipolar BJT Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 2W Surface Mount SOT-223

得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3

立创商城:
NPN 160V 600mA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

DZT5551Q-13中文资料参数规格

技术参数

额定功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DZT5551Q-13引脚图与封装图

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