DMN63D8L-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN63D8L-13中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.8 Ω
耗散功率 350 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 23.2pF @25VVds
下降时间 16.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.975 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN63D8L-13引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN63D8L-13 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | 搜索库存 |