DN0150ALP4-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
频率 60 MHz
极性 NPN
耗散功率 450 mW
增益频宽积 60 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 120 @2mA, 6V
额定功率Max 450 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 450 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN-3
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
高度 0.35 mm
封装 DFN-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DN0150ALP4-7 | Diodes 美台 | TRANS NPN 50V 100mA DFN1006H4-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DN0150ALP4-7 品牌: Diodes 美台 封装: DFN-3 NPN 450mW | 当前型号 | TRANS NPN 50V 100mA DFN1006H4-3 | 当前型号 | |
型号: DN0150ALP4-7B 品牌: 美台 封装: X2-DFN1006-3 NPN 450mW | 类似代替 | TRANS NPN 50V 100mA DFN1006H4-3 | DN0150ALP4-7和DN0150ALP4-7B的区别 |