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DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N沟道 60V 10.6A

N-Channel 60V 10.6A Ta 1.23W Ta Surface Mount PowerDI5060-8


立创商城:
N沟道 60V 10.6A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060


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MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A


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Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A Automotive 8-Pin PowerDI T/R


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Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R


DMT6016LPS-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.7 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 864pF @30VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.23W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT6016LPS-13引脚图与封装图
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