DMG8880LK3-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

N-Channel 30V 11A Ta 1.68W Ta Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

贸泽:
MOSFET N-Ch FET VDSS 20V VGSS 20V PD 1.68W

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

DMG8880LK3-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.68 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 16.5A

输入电容Ciss 1289pF @15VVds

额定功率Max 1.68 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.68W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMG8880LK3-13引脚图与封装图

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