DMTH6004SK3-13

Diodes(美台) 分立器件

N沟道 60V 100A

表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 3.9W（Ta），180W（Tc） TO-252-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252

立创商城:
N沟道 60V 100A

贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DMTH6004SK3-13中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.9 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 11.7 ns

输入电容Ciss 4556pF @30VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.9W Ta, 180W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMTH6004SK3-13引脚图与封装图

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