DMG4712SSS-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

表面贴装型 N 通道 30 V 11.2A（Ta） 1.55W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

贸泽:
MOSFET MOSFET N-CHANNEL

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.2A Automotive 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.2A Automotive 8-Pin SO T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

DMG4712SSS-13中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 10 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.55 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 11.2A

上升时间 24.4 ns

输入电容Ciss 2296pF @15VVds

额定功率Max 1.55 W

下降时间 6.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.55W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMG4712SSS-13引脚图与封装图

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