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DDTC114WUA-7-F

DDTC114WUA-7-F

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Diodes(美台) 分立器件

NPN - 预偏压 100mA 50V

Ensure the proper transistor is used within your digital processing unit by using Zetex"s NPN digital transistor. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 24@10mA@5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.

DDTC114WUA-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 24 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDTC114WUA-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTC114WUA-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTC114WUA-7-F Diodes 美台 NPN - 预偏压 100mA 50V 搜索库存
替代型号DDTC114WUA-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DDTC114WUA-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW

当前型号

NPN - 预偏压 100mA 50V

当前型号

型号： DDTC114WCA-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-23-3 NPN 50V 100mA 200mW

完全替代

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K 4.7K

DDTC114WUA-7-F和DDTC114WCA-7-F的区别

型号： DDTC114WE-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-523 NPN 50V 100mA 150mW

类似代替

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3Pin SOT-523 T/R

DDTC114WUA-7-F和DDTC114WE-7-F的区别

型号： DDTC114WUA-7

品牌： 美台

封装： SOT-323 NPN 50V 100mA

功能相似

TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT323

DDTC114WUA-7-F和DDTC114WUA-7的区别