DMN7022LFG-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 14.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 0.9 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 7.8A
上升时间 5.7 ns
输入电容Ciss 2737pF @35VVds
下降时间 3.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN7022LFG-7 | Diodes 美台 | DMN7022LFG-7 编带 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN7022LFG-7 品牌: Diodes 美台 封装: PowerDI3333-8 N-CH 75V 7.8A | 当前型号 | DMN7022LFG-7 编带 | 当前型号 | |
型号: DMN7022LFG-13 品牌: 美台 封装: PowerDI3333-8 N-CH 75V 7.8A | 类似代替 | MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8 | DMN7022LFG-7和DMN7022LFG-13的区别 |