DMN6069SFG-7

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

表面贴装型 N 通道 5.6A（Ta），18A（Tc） 930mW（Ta） PowerDI3333-8

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DMN6069SFG-7中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 63 mΩ

耗散功率 930 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1480pF @30VVds

下降时间 3.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 930mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN6069SFG-7引脚图与封装图

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