DMN3032LFDBQ-7

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.2A 1W 表面贴装型 U-DFN2020-6（B 类）

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

立创商城:
DMN3032LFDBQ-7

贸泽:
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R

DMN3032LFDBQ-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.7 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.2A

上升时间 2.6 ns

输入电容Ciss 500pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN3032LFDBQ-7引脚图与封装图

暂无图片

在线购买DMN3032LFDBQ-7

型号	制造商	描述	购买
DMN3032LFDBQ-7	Diodes 美台	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020	搜索库存