DMT6016LFDF-7

Diodes(美台) 分立器件

N沟道 60V 8.9A

N-Channel 60V 8.9A Ta 820mW Ta Surface Mount U-DFN2020-6 Type F

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MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

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DMT6016LFDF-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 8.9A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 864pF @30VVds

下降时间 6.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT6016LFDF-7引脚图与封装图

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