DMN10H100SK3-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

表面贴装型 N 通道 18A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 18A TO252

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 18A TO252

DMN10H100SK3-13中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 37 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 5.9 ns

输入电容Ciss 1172pF @50VVds

下降时间 7.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN10H100SK3-13引脚图与封装图

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