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DDTA113TE-7-F

DDTA113TE-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SOT-523


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 1K


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R


DeviceMart:
TRANS PREBIASED PNP 50MW SOT523


DDTA113TE-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DDTA113TE-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTA113TE-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTA113TE-7-F Diodes 美台 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R 搜索库存
替代型号DDTA113TE-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DDTA113TE-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-523 PNP 50V 100mA 0.15W

当前型号

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R

当前型号

型号： DDTA113TE-7

品牌： 美台

封装： SOT-523 PNP 50V 100mA

完全替代

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3Pin SOT-523 T/R

DDTA113TE-7-F和DDTA113TE-7的区别