DPLS325E-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DPLS325E-13中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DPLS325E-13引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DPLS325E-13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DPLS325E-13 | Diodes 美台 | Trans GP BJT PNP 25V 3A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |
替代型号DPLS325E-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DPLS325E-13 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-223 PNP 1W | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 25V 3A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 当前型号 |
| 型号： FZT789ATA 品牌： 美台 封装： SOT-223 PNP 25V 2A 3W | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | DPLS325E-13和FZT789ATA的区别 |