DMTH8012LPS-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 2.6W Ta, 136W Tc
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 3.8 ns
输入电容Ciss 1949pF @40VVds
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2600 mW
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
封装 PowerDI-5060-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMTH8012LPS-13 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 | 搜索库存 |