DMP2008UFG-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 2.4 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 6909pF @10VVds
下降时间 124 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 41W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
DMP2008UFG-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8Pin PowerDI T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: DMP2008UFG-13 品牌: Diodes 美台 封装: PowerDI3333-8 P-CH 20V 12A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8Pin PowerDI T/R | 当前型号 | |
型号: DMP2008UFG-7 品牌: 美台 封装: POWERDI3333-8 P-CH 20V 12A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -54 A, -20 V, 0.008 ohm, -4.5 V, -1 V | DMP2008UFG-13和DMP2008UFG-7的区别 |