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DRDNB26W-7

DRDNB26W-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 + 二极管 表面贴装型 SOT-363


得捷:
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 600mA 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 600mA 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 600mA 6-Pin SOT-363 T/R


DRDNB26W-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 600mA

最小电流放大倍数hFE 47 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DRDNB26W-7引脚图与封装图
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