DMP21D0UFB-7

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3

表面贴装型 P 通道 20 V 770mA（Ta） 430mW（Ta） 3-X1DFN1006

得捷:
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN

贸泽:
MOSFET MOSFET P-CH

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A Automotive 3-Pin X1-DFN

安富利:
MOSFET P-CHANNEL DFN1006-3 GREEN 3K

DMP21D0UFB-7中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 960 mΩ

耗散功率 430mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 76.5pF @10VVds

下降时间 18.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 430mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMP21D0UFB-7引脚图与封装图

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