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DCX56-13
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

DCX56-13中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DCX56-13引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DCX56-13 Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R 搜索库存